半导体设备厂进入碳化硅衬底赛道

摘要：

上机数控“转战”材料成功试制6吋SiC

11月6日，上机数控发布消息称，他们成功试制出6英寸碳化硅衬底，有效厚度达到20毫米，经加工后衬底片的微管、位错等各项指标均达国内领先水平。据了解，今年3月上机数控就成立全资子公司弘元半导体，专攻第三代半导体领域，并已主导了一个碳化硅衬底项目。

晶盛机电:募资31亿建衬底项目，8吋SiC出炉

晶盛机电成立于2006年，是国内领先的半导体材料装备企业。2017年，他们开始布局碳化硅业务，2020年建立了SiC长晶和加工中试线。去年10月，晶盛机电宣布募资31亿元，用于建设6英寸碳化硅衬底项目。8月，晶盛机电首颗8英寸N型SiC晶体出炉。晶盛机电的8英寸SiC晶体的晶坯厚度为25mm，直径214mm。

GTAT：由生产蓝宝石设备→生产碳化硅衬底

GTAT原名GT Solar，成立于1994年，曾是一家垄断光伏和蓝宝石的设备供应商。该公司破产后进入SiC赛道，于2013年推出4英寸的SiC长晶炉，主要使用升华法。2017年，GTAT正式宣布开发出CrystX® SiC晶体。2018年6月，GTAT举行了SiC衬底工厂剪彩仪式，并宣布量产。最终，GTAT在去年8月被安森美以27亿人民币收购，以推进6英寸和8英寸SiC晶体生长技术。今年8月，安森美扩建的GTAT Hudson（哈德逊）的碳化硅工厂开业，碳化硅衬底产能将扩充4倍。

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