山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划

摘要：

第一代半导体材料，发明并实用于20世纪50年代，以硅（Si）、锗（Ge）为代表，特别是硅，构成了一切逻辑器件的基础。我们的CPU、GPU的算力，都离不开硅的功劳。第二代半导体材料，发明并实用于20世纪80年代，主要是指化合物半导体材料，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。其中砷化镓在射频功放器件中扮演重要角色，磷化铟在光通信器件中应用广泛。而第三代半导体，发明并实用于本世纪初年，涌现出了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等具有宽禁带（Eg＞2.3eV）特性的新兴半导体材料，因此也被成为宽禁带半导体材料。

第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，具有广阔的应用前景，已经成为全球半导体产业新的战略竞争高地。

《规划》规划共分发展现状、总体要求、产业布局、重点任务、保障措施五大部分，目标是到2025年，山东省第三代半导体产业链链条完善，关键核心技术自主可控，保持第三代半导体关键材料市场领先地位。打造百亿级国家第三代半导体产业高地。经过多年发展，山东省第三代半导体产业形成了一定的产业基础，极具发展潜力，目前拥有第三代半导体企业20余家。山东在第三代半导体领域已经逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链，“碳化硅衬底第一股”山东天岳是我国最大的SiC单晶材料供应商，主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。浪潮华光在外延材料生长、芯片制备及器件封装具有完备的产业基础，为山东省发展第三代半导体产业奠定了坚实基础。随着济南比亚迪半导体有限公司、芯恩（青岛）集成电路有限公司、青岛惠科微电子有限公司、淄博美林电子有限公司的功率半导体芯片器件产线的建设和投产，将对第三代半导体材料的需求形成新的牵引。

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