苏州纳维科技有限公司

概要：苏州纳维创办以来，在江苏省重大成果转化项目、苏州市各级人才项目支持下，经过10年攻关完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发，达到世界先进水平，期间相继得到科技部863项目和国家发改委产业化示范项目的支持；

企业信息：

企业名称：苏州纳维科技有限公司

统一社会信用代码：913205946617787769

网址：http://www.nanowin.com.cn/

注册资本：5,679.2887万(元)

成立日期：2007-05-25

所属省市：江苏省苏州市

主营：公司产品为产品有GaN单晶衬底，有2英寸、4英寸和6英寸GaN单晶衬底；

产品关键词：4英寸自支撑氮化镓晶片（非掺），4英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺），2英寸自支撑氮化镓晶片（非掺），2英寸自支撑氮化镓晶片（硅掺），2英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺），10*10.5mm²自支撑氮化镓晶片（非掺），10*10.5mm²自支撑氮化镓晶片（硅掺），10*10.5mm²自支撑氮化镓晶片（铁掺），5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-palar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)，6英寸氮化镓厚膜晶片（非掺），6英寸氮化镓厚膜晶片（硅掺），6英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺），4英寸氮化镓厚膜晶片（非掺），4英寸氮化镓厚膜晶片（硅掺），4英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺），2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺），2英寸氮化镓厚膜晶片（硅掺），2英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）；

产品成分关键词：氮化镓

注：以下内容信息来源：http://www.nanowin.com.cn/

公司介绍：

苏州纳维创办以来，在江苏省重大成果转化项目、苏州市各级人才项目支持下，经过10年攻关完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发，2英寸GaN单晶衬底的位错密度降低到10⁴cm²，达到世界先进水平，期间相继得到科技部863项目和国家发改委产业化示范项目的支持；近两年完成了4英寸和6英寸GaN单晶衬底的关键技术研发。目前GaN单晶衬底产品已经提供给500余家客户使用，基本完成了对研发市场的占领，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。申报相关核心专利近百余项，在各类重要国际学术会议和产业论坛上做邀请报告百余次，苏州纳维受到产业界和国际同行的广泛关注。

产品图谱：

注：公司介绍和产品图谱内容版权归属其来源网站或公司，任何人请勿侵权使用，若需详细了解该公司及其产品，请通过其官网渠道进一步确认，本平台仅供参考！