希科半导体科技（苏州）召开6英寸碳化硅（SiC）外延片投产新闻发布

摘要：

中国苏州，2022年11月23日——希科半导体科技（苏州）有限公司于苏州纳米科技城召开碳化硅（SiC）外延片投产新闻发布会。会上公司创始人、总经理吕立平宣布，公司采用国产CVD设备和国产衬底生产的6英寸SiC外延片，已于近期通过两大权威机构的双重检测，性能指标完全媲美国际大厂，为我国碳化硅行业创下了一个毫无争议的新纪录。 吕立平总经理介绍，在过去的一年里，希科半导体从国产水平外延炉调试成功，到完成国产量测设备调试、并实现与进口量测设备的对标校准，填补了行业空白；近日公司又进一步完成了国产垂直外延炉调试，并完成了国产衬底原料与进口衬底同等外延工艺下的对比测试。至此，希科半导体实现了工艺设备、量测设备、关键原料的三位一体国产化，完全、干净、彻底的解决了国外产品的卡脖子问题。这一系列成果填补了我国碳化硅行业的空白。

所谓SiC外延片，是指在碳化硅衬底上生长一层更高晶格品质的单晶薄膜（外延层），在实际应用中一个个碳化硅芯片都是采用光刻、掩膜、掺杂等半导体制程工艺在这个外延层上得以实现，而碳化硅晶片本身是作为衬底实现支撑作用。

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1.国产之光希科半导体：引领SiC外延片量产新时代