上市公司:股票代码:688234;名称:天岳先进;股市行情链接:http://quote.eastmoney.com/kcb/688234.html
概要:是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。天岳先进自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。
企业名称:山东天岳先进科技股份有限公司
统一社会信用代码:9137010056077790XN
注册资本:42,971.1044万(元)
成立日期:2010-11-02
所属省市:山东省济南市
主营:碳化硅单晶衬底材料,第三代半导体材料。
产品关键词:碳化硅单晶衬底材料,4H-导电型碳化硅单晶衬底,4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底
产品成分关键词:碳化硅
注:以下内容信息来源:http://www.sicc.cc/
公司介绍:
山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月,是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。公司秉承“先进·品质·持续”的经营理念,以满足客户需求、帮助客户解决问题为导向,重视产品品质和服务品质,自主掌握工艺技术,积极拓展市场,追求业务可持续发展。
碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料,和传统材料相比具有更加优异的物理性能,可以有效提升下游器件的功率密度和整体性能,在电力电子以及微波电子领域有着广泛的应用前景。但优越的物理性能背后是精密且复杂的制备工艺,碳化硅单晶的生长需要在高温低压密闭环境下进行,且微小的环境变化都会引起晶格错乱从而影响衬底材料的品质。
公司依托卓越的研发团队和多年积累的产业化经验,重视技术引领、品质提升,长期坚持创新,以打造一体化解决方案为核心,完善服务、完善产品,力争成为国际著名的半导体材料公司。
衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为使材料能满足不同芯片的功能要求,需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为高电阻率的半绝缘型碳化硅衬底,和低电阻率的导电型碳化硅衬底。碳化硅单晶在自然界极其稀有,几乎不存在。只能依靠人工合成制备。目前工业生产碳化硅衬底材料以物理气相升华法为主,这种方法需要在高温真空环境下将粉料升华,然后通过温场的控制让升华后的组分在籽晶表面生长从而获得碳化硅晶体。整个过程在密闭空间内完成,有效的监控手段少,且变量多,对于工艺控制精度要求极高。
天岳先进自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。物理气相升华法(简称PVT)对原料进行加热,通过气相升华和温场控制使升华的组分在籽晶表面再结晶。
产品图谱:
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