摘要:
近年来,下游需求带动下,SiC衬底正在从6英寸开始向8英寸推进,更大的衬底尺寸,意味着单片SiC晶圆能够制造出的芯片数量更多,晶圆边缘浪费减少,单芯片成本降低。2022年3月份,烁科率先对外发布“8英寸N型SiC抛光片的小批量生产”以来,已有多家国内企业对外发布了8英寸产品。参照目前国内相关企业在8英寸SiC衬底上的进度,与国际领先水平的差距进一步拉近。相较于6英寸衬底量产的7年时间差,如果进度理想的话,8英寸SiC衬底量产时间与海外龙头的差距可能会缩短至3年。
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1.央视报道·碳化硅 | 液相法长晶、8英寸衬底量产或将成为碳化硅产业“热点词”
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