哈尔滨科友半导体公司通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8寸的碳化硅单晶

摘要：

在科友第三代半导体产学研聚集区紧张投产过程中，科友半导体试验线再传捷报，科友半导体通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8吋的碳化硅单晶，晶体表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。这是科友半导体于今年十月在六吋碳化硅晶体厚度上实现40mm突破后，在碳化硅晶体生长尺寸上取得的又一次极具历史意义的重大突破。

国际上8吋碳化硅单晶衬底研制成功已有报道，但迄今尚未有产品投放市场。8吋碳化硅长晶工艺的突破，意味着科友半导体在单晶制备技术水平上达到了一个新的高度，提高企业市场竞争力，具有极其深远的意义。科友半导体自成立伊始，就瞄准碳化硅衬底行业痛点和难点，积极推进产业化技术研发和积累，取得了一系列成果，形成了碳化硅长晶装备和晶体生长自主可控的技术体系。8吋碳化硅单晶研制成功是科友半导体在宽禁带半导体领域取得的又一个重要里程碑，也将有助于增强我国在大尺寸碳化硅单晶衬底的国际竞争力，助力我国宽禁带半导体产业的快速发展。随着科友半导体电阻炉的规模化应用和碳化硅衬底的产业化推进，生产出质量更高、成本更低的8吋碳化硅单晶衬底指日可待。

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